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美国闪存峰会上,我看到了这款SCM新贵

产品中心
2019 / 08 / 14
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出差美国,就是一场购物之旅。

 

40美元一条的Levi’s牛仔裤,60美元一双的Airmax耐克鞋,100美元一件的Coach背包……在一个叫做奥特莱斯的地方,即便是国内最纯粹的宅男都抑制不住买买买的“剁手”冲动,这源于与国内3-5倍的价格差,也更让人深刻体会了初中课本上的那句话——资本主义物资非常丰富。

 

不过这一次,来去匆匆的美国之旅却少了这份逛街的悠闲。匆匆在奥莱驻足2小时,帮友人代购了几件POLO衫之后,我便驱车直奔硅谷。在那里,一场名为FMS2019的会议即将开始,它的中文名字大家或许更熟悉——闪存峰会。

 

许多人都知道“硅谷”这个名字,却少有人能准确的说出它的位置。虽然之前去过十几次美国,但这却是我第一次到访圣克拉拉,之前了解这个名字更多出现在各大厂商的新闻稿上。圣克拉拉、圣何塞、森尼韦尔……诸如此类的几个名字,组成了大众认知意义上的“硅谷”,正如“中关村”已不仅仅局限于海淀区几条马路那么简单。

 

本次闪存峰会就在圣克拉拉会展中心举行。顾名思义,此次峰会都是与闪存相关的内容,在展区,我看到了各种NAND、SCM、固态硬盘和全闪存阵列的展品和方案,主会场更是包括了从NVMe标准到全闪存数据中心的技术分享。要是在购物之余能为自己的技术储备充上一小格电,更让我的此次美国之行添色不少。

 

作为存储行业的重要展会之一,闪存峰会吸引了来自全球的各大企业参加。在这里,我们看到了包括东芝、西部数据、现代海力士等一众品牌,而展区的人流比奥莱有过之而无不及。仔细观察下,许多参展企业都是东方面孔,各边听到的除了英语之外,中文的比例也不少。转过几个展区,我眼前出现了一家中国企业,它的名字叫做Memblaze,中文称为忆恒创源(虽然这个名字不太常用)。

 

 

熟悉闪存的朋友或许都知道,如今整个市场正处于飞速的发展与技术的突破当中,传统的3D NAND在技术上已经非常成熟,而在更高速度和更低延迟上,业界也一直在寻求新的突破。比如,英特尔3D Xpoint就提供了Optane SSD和Optane Memory等多款产品,高速度、低延时、强I/O、长耐久等优势颇为亮眼,搭配上自家的至强可扩展处理器,已经形成了强大的性能解决方案;在战略层面,英特尔甚至将存储列入了业务“6大支柱”之一。

 

当让出了英特尔,三星和东芝也有类似的解决方案。这些方案的初衷,都是希望实现一种更高效、更稳定的传输形态,即SCM(Storage Class Memory)存储级内存。从应用角度,无论是当下的云计算、大数据还是未来的5G、物联网乃至于人工智能,都对于存储效率有了更高的需求,SCM的发展已经是大势所趋,而率先进入并占领这个市场就成为了各家企业的迫切需求。

 

 

Memblaze这次就展示了一款容量800GB的超低延时NVMe SSD新品——PBlaze5X26。这款产品基于东芝存储器的XL-Flash而设计,4K随机写的延时低至10微秒,4K混合读写模式下,平均延时低至27微秒,并且在数小时压力测试中,始终保持高度一致的超低延时性能。考虑到这款产品尚未正式发布,随着研发的推进,最终产品将会降至20微秒以内。

 

这样的成绩,让PBlaze5X26毫无疑问成为了SCM领域的新成员。当然,业界对于SCM目前还没有一个准确的范围和严格的定义,但是从性能、延迟和成本三个指标来评价的话,延迟特别低,性能非常高,成本也非常高的新一代存储介质无疑属于这个范畴。更何况,东芝已经将XL-FLASH归属在了SCM的范畴,还在FMS2019峰会上大张旗鼓的宣布。

 

 

另一张图也可以说明XL-FLASH的定位。在当今,TLC NAND是市场的主流,性价比优势非常不错。包括Memblaze在内,许多企业都有不止一款TLC产品面世,市场也相对成熟。而就XL-FLASH来说,它的定位明显高于TLC,介乎于内存与存储之间,这一点与英特尔3D Xpoint的定位是一致的。既然英特尔3D Xpoint可以看做是SCM的代表产品,那么XL-FLASH也一样。

 

 

不过两者之间依然有明显的差异化。XL-FLASH本质上是3D-NAND,在材料商并未进行改变,而英特尔3D Xpoint已经是新的存储介质材料了。更好的材料代表着更高的技术水平,同时也意味着更高的价格成本。而就这一点来说,基于3D-NAND的XL-FLASH在成本上更亲民一些,性价比更高。

 

我们在Memblaze展台看到的另一个亮点则是一款基于MySQL的读写优化解决方案。大家知道,针对数据库应用来说,往往磁盘或者SSD都要进行大量的读写操作,而如果我们能够将单一操作的效率提升,那么对于整个数据库来说则会带来巨大的性能跃进。这一次,Memblaze就展示了一种方法。

 

针对MySQL存储引擎的双写特点,Memblaze基于多命名空间设计了一个混合介质管理的技术,可以将NVMe SSD上内存划分出一个命名空间,存储共享表空间;而NAND资源则为另一个命名空间,用于数据库数据的长期存储。这有些像分层存储的概念,针对不同存储介质在耐擦写能力、性能、容量等方面特性的不同,划分不同的资源池,承载不同的业务或者进程。

 

 

MySQL的演示方案,从配置信息可以看到作为变量的两块PBlaze5 910 NVMe SSD。一块划分了两个命名空间,其中一个是DRAM的;另一块就是一个命名空间。两个命名空间的PBlaze5 性能高于单一命名空间的PBlaze5,并且写到NAND上的数据量也减少了。对于不喜欢反复擦写的NAND来说,这样的设计有利于提高寿命。

 

这也开拓了我们在存储介质应用上的全新思路。首先,我们可以对存储介质的精细化管理。不同的存储资源可以通过多命名空间进行隔离,各自进行格式化、加密等操作,相互之间性能不受干扰。在如今NVMe SSD容量发展越来越大,突破15TB直奔20TB的路上,一块NVMe SSD分给多个应用用还是有其价值。

 

另一个思考则是不同存储介质的管理难题。当下Memblaze展示的方案更像是一个中间版本,共享表空间放在了SSD的内存上,由掉电保护技术保障其数据安全性,据悉,DRAM有望被替换成为SCM等新介质,这就与上文中提到的PBlaze5 X26中的XL-FLASH有了相关性。是否XL-FLASH也会作为存储介质的一种与3D TLC一同共存于Memblaze未来某代产品中,一个NVMe SSD就能实现介质级的分层存储,这就看应用是否需要,Memblaze是否能有此能力了。

 

一方面是高读写低延迟的NVMeSSD新品,另一方面是SSD优化方案在MySQL数据库里应用效果展示,Memblaze这一次带给我们的两个方案虽然完全不同,但在表现Memblaze对存储介质和应用需求的理解和技术创新能力的表现上却是异曲同工。

 

性能始终是终端用户的追求,在这个问题上,Memblaze通过全新的产品和应用的优化给出了两种不同的解决方案,让实际业务表现有了突破性的发展。如今,增强型多命名空间管理技术已经可以交付客户使用,而PBlaze5 X26还只是牛刀小试,产品的发布怕是要再耐心等待一段时间才行。

 

文/溜达兔