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Memblaze 发布又一款 PCIe Gen4 系列企业级 SSD:性能更强,功耗更低!

产品中心
2021 / 11 / 11
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2021年11月15日 – 继4月发布首款PCIe 4.0 PBlaze6 6920 旗舰系列SSD以来,今天,Memblaze(北京忆恒创源科技股份有限公司)正式宣布推出面向主流市场的PBlaze6 6530 系列 PCIe 4.0 企业级 SSD。该系列产品是基于 Memblaze 自主研发的统一架构平台(MUFP) 开发的第二代产品,支持 NVMe 1.4 协议标准,采用最新176层企业级3D eTLC NAND颗粒。相比上一代产品写入寿命更长;同时性能有大幅提升,随机访问高达1100K IOPS;且具有更低的功耗。 PBlaze6 6530系列支持更多企业级功能和安全特性,满足互联网、云计算、金融、通信等行业用户对新一代闪存存储的严苛要求。

PBlaze6 6530 系列 PCIe4.0 NVMe SSD

 

 

性能更强,为业务应用大幅加速

 

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 支持PCIe 4.0 x4接口,拥有更高的读写带宽。它使用了最新一代176层企业级3D eTLC NAND颗粒,内置MemSpeed 4.0技术,能够提供高达1180K IOPS的4K随机读取性能,4K随机写性能突破425K IOPS,顺序读写带宽分别高达 6.8GB/s 和4.8GB/s,可为企业用户带来更好的数据存取表现,助力业务应用大幅提速。

 

 

更低延时,保障出色用户体验和一致性

 

PBlaze6 6530 系列对 IO 处理逻辑进行了深度优化,通过写处理路径调整缩短命令响应与返回时间,增加预处理操作,让整体写延时进一步降低至10μs;硬件和接口性能提升,让读延时得到了显著改善,低至 72μs。此外,内置调度机制的优化,也让 PBlaze6 6530 的 QoS 和性能一致性得以保证,让延时敏感型应用运行更加流畅。 

 

 

功耗更低,灵活配置满足不同业务所需

 

PBlaze6 6530 系列采用低功耗的硬件设计,同时优化数据路径和各项算法,使得每消耗1瓦特能耗所提供的性能得以大幅提升。与上一代产品相比,PBlaze6 6530系列的能效比增加了172%,性能更强的同时功耗更低。其写入功耗典型值仅为 11W,并支持以每1W为粒度,6W 到14W 功耗动态调整功能,以满足用户对性能和功耗的不同配置需求。

 

 

超长写入寿命,确保业务长期稳定运行

 

PBlaze6 6530 系列企业级 SSD 采用企业级 eTLC NAND 中最高规格等级颗粒,搭配全新升级的MemSpeed4.0技术集,优化写入路径和算法,实现超长写入寿命。PBlaze6 6530提供 1.92TB、3.84TB 和 7.68TB 三个容量点,按照 JESD219 标准写入寿命最高可达 1.5 DWPD(5年),写入寿命比前代提升50%,适合主流企业级工作负载;PBlaze6 6536 提供 1.6TB、3.2TB和6.4TB 容量点,寿命最高可达 3.3 DWPD(5年),适合具有更高写入寿命要求的业务。两款型号全容量点均提供2.5英寸 U.2 和 HHHL(半高半长)AIC 规格。

 

 

丰富的企业级功能和数据安全可靠性表现

 

PBlaze6 6530 系列企业级SSD支持 NVMe 1.4 规范,提供了更加丰富的企业级功能,如  Persistent Event Log 持久化日志、NVMe-MI 带外管理、日志收集统一接口 Telemetry、安全擦除 Sanitize、TCG Opal 2.0 等,以进一步提升固态硬盘的可靠性、可管理性与数据安全性。同时,全路径数据保护、NVMe 端到端数据保护、可变 Sector Size 管理、加权轮询WRR、AES数据加密、设备自检、在线固件升级等企业用户关注的功能也均有提供。

 

“祝贺Memblaze发布了第二款PCIe 4.0 SSD。这次推出的产品,在保持一贯的性能和稳定性的基础上,又深入打磨了丰富的企业级功能,TCG和端到端数据保护功能的加强,让我们看到了国内SSD厂商对于用户数据安全的思考更进了一步。H3C公司会继续与Memblaze一起,持续为用户提供安全、快速、易用的应用和服务。”—— 新华三集团存储产品部总经理徐润安表示。

 

目前,PBlaze6 6530 系列 PCIe NVMe 企业级 SSD 即日起接受预定,您可与所在地的销售代表联系。

 

产品系列 Memblaze PBlaze6 6530系列
容量 1.6TB/1.92TB, 3.2TB/3.84TB, 6.4TB/7.68TB
外形 U.2 / HHHL AIC
接口/ 标准 PCIe 4.0 x 4 / NVMe 1.4
NAND 176层,eTLC
性能 顺序读/写带宽(128KB)-最高达6.8GB/s / 4.9GB/s
随机读/写(4KB)-最高达1,100,000 IOPS/425,000 IOPS
寿命 最高达1.5/3.3 DWPD (5年 随机写入)
读取/写入延时 72/10 μs
功耗 峰值 <14 W ,典型值 11W
基本特性 增强的掉电数据保护、热插拔、全路径数据保护、S.M.A.R.T、灵活功耗管理
高级功能 TRIM、命名空间管理、AES256 自加密、密钥删除、EUI64/NGUID
可变 Sector Size 管理 & NVMe 端到端数据保护、在线固件升级、时间戳、加权轮询、标准接口日志收集 Telemetry、安全擦除 Sanitize、持久化事件日志、TCG OPAL2.0